Dasar elemen elemen semikonduktor terus berkembang. Setiap penemuan baru di bidang ini, pada kenyataannya, mengubah seluruh gagasan tentang sistem elektronik. Kemampuan desain sirkuit sedang berubah, perangkat baru yang didasarkan pada mereka muncul. Banyak waktu telah berlalu sejak penemuan transistor pertama (1948). Struktur "p-n-p" dan "n-p-n", transistor bipolar, ditemukan. Seiring waktu, transistor MIS juga muncul, beroperasi berdasarkan prinsip mengubah konduktivitas listrik dari lapisan semikonduktor dekat permukaan di bawah aksi medan listrik. Oleh karena itu, nama lain untuk elemen ini adalah field.
Singkatan MIS (metal-dielectric-semiconductor) menjadi ciri struktur internal perangkat ini. Memang, gerbangnya diisolasi dari saluran dan sumber oleh lapisan tipis non-konduktif. Transistor MIS modern memiliki panjang gerbang 0,6 m. Hanya medan elektromagnetik yang dapat melewatinya - inilah yang mempengaruhi keadaan listrik semikonduktor.
Mari kita lihat cara kerja FET dan cari tahu apa perbedaan utamanyabipolar "saudara". Ketika potensi yang diperlukan muncul, medan elektromagnetik muncul di gerbangnya. Ini mempengaruhi resistensi persimpangan saluran-sumber. Berikut adalah beberapa manfaat menggunakan alat ini.
- Dalam keadaan terbuka, resistansi transisi saluran-sumber sangat kecil, dan transistor MIS berhasil digunakan sebagai kunci elektronik. Misalnya, dapat menggerakkan penguat operasional dengan shunting beban atau berpartisipasi dalam rangkaian logika.
- Yang juga perlu diperhatikan adalah impedansi input perangkat yang tinggi. Parameter ini cukup relevan saat bekerja di sirkuit arus rendah.
- Kapasitansi rendah dari sambungan saluran-sumber memungkinkan penggunaan transistor MIS pada perangkat frekuensi tinggi. Tidak ada distorsi dalam transmisi sinyal selama proses.
- Perkembangan teknologi baru dalam produksi elemen telah mengarah pada penciptaan transistor IGBT yang menggabungkan kualitas positif elemen medan dan bipolar. Modul daya berdasarkan mereka banyak digunakan dalam soft starter dan konverter frekuensi.
Saat merancang dan bekerja dengan elemen-elemen ini, harus diperhitungkan bahwa transistor MIS sangat sensitif terhadap tegangan lebih di sirkuit dan listrik statis. Artinya, perangkat mungkin gagal saat menyentuh terminal kontrol. Saat memasang atau membongkar, gunakan pentanahan khusus.
Prospek untuk menggunakan perangkat ini sangat bagus. Terimakasih untuksifatnya yang unik, telah ditemukan aplikasi yang luas di berbagai peralatan elektronik. Tren inovatif dalam elektronik modern adalah penggunaan modul daya IGBT untuk operasi di berbagai sirkuit, termasuk sirkuit induksi.
Teknologi produksi mereka terus ditingkatkan. Pengembangan sedang dilakukan untuk skala (mengurangi) panjang rana. Ini akan meningkatkan kinerja perangkat yang sudah baik.
